Pertumbuhan dan Pemurnian Kristal Telurium 7N

Berita

Pertumbuhan dan Pemurnian Kristal Telurium 7N

Pertumbuhan dan Pemurnian Kristal Telurium 7N


I. Perlakuan Awal dan Pemurnian Bahan Baku

  1. Bahasa Indonesia:Pemilihan dan Penghancuran Bahan BakuBahasa Indonesia:
  • Bahasa Indonesia:Persyaratan Material: Gunakan bijih telurium atau lendir anoda (kandungan Te ≥5%), lebih disukai lendir anoda peleburan tembaga (mengandung Cu₂Te, Cu₂Se) sebagai bahan baku.
  • Bahasa Indonesia:Proses Pra-Perawatan:
  • Penghancuran kasar hingga ukuran partikel ≤5mm, diikuti penggilingan bola hingga ≤200 mesh;
  • Pemisahan magnetik (intensitas medan magnet ≥0,8T) untuk menghilangkan Fe, Ni, dan kotoran magnetik lainnya;
  • Flotasi buih (pH=8-9, pengumpul xanthate) untuk memisahkan SiO₂, CuO, dan pengotor non-magnetik lainnya.
  • Bahasa Indonesia:Tindakan pencegahan: Hindari penambahan kelembapan selama praperlakuan basah (memerlukan pengeringan sebelum pemanggangan); kendalikan kelembapan sekitar ≤30%.
  1. Bahasa Indonesia:Pemanggangan dan Oksidasi PirometalurgiBahasa Indonesia:
  • Bahasa Indonesia:Parameter Proses:
  • Suhu pemanggangan oksidasi: 350–600°C (kontrol bertahap: suhu rendah untuk desulfurisasi, suhu tinggi untuk oksidasi);
  • Waktu pemanggangan: 6–8 jam, dengan laju aliran O₂ 5–10 L/menit;
  • Reagen: Asam sulfat pekat (98% H₂SO₄), perbandingan massa Te₂SO₄ = 1:1,5.
  • Bahasa Indonesia:Reaksi Kimia:
    Cu2Te+2O2+2H2SO4→2CuSO4+TeO2+2H2OCu2​Te+2O2​+2H2​SO4​→2CuSO4​+TeO2​+2H2​O
  • Bahasa Indonesia:Tindakan pencegahan: Kontrol suhu ≤600°C untuk mencegah penguapan TeO₂ (titik didih 387°C); tangani gas buang dengan scrubber NaOH.

II. Pemurnian Elektro dan Distilasi Vakum

  1. Bahasa Indonesia:Pemurnian ElektroBahasa Indonesia:
  • Bahasa Indonesia:Sistem Elektrolit:
  • Komposisi elektrolit: H₂SO₄ (80–120g/L), TeO₂ (40–60g/L), aditif (gelatin 0,1–0,3g/L);
  • Kontrol suhu: 30–40°C, laju aliran sirkulasi 1,5–2 m³/jam.
  • Bahasa Indonesia:Parameter Proses:
  • Kepadatan arus: 100–150 A/m², tegangan sel 0,2–0,4V;
  • Jarak elektroda: 80–120mm, ketebalan deposisi katode 2–3mm/8h;
  • Efisiensi penghilangan pengotor: Cu ≤5ppm, Pb ≤1ppm.
  • Bahasa Indonesia:Tindakan pencegahan: Saring elektrolit secara teratur (akurasi ≤1μm); poles permukaan anoda secara mekanis untuk mencegah pasivasi.
  1. Bahasa Indonesia:Distilasi VakumBahasa Indonesia:
  • Bahasa Indonesia:Parameter Proses:
  • Tingkat vakum: ≤1×10⁻²Pa, suhu distilasi 600–650°C;
  • Suhu zona kondensor: 200–250°C, Efisiensi kondensasi uap Te ≥95%;
  • Waktu distilasi: 8–12 jam, kapasitas satu batch ≤50kg.
  • Bahasa Indonesia:Distribusi Pengotor: Pengotor dengan titik didih rendah (Se, S) terakumulasi di bagian depan kondensor; pengotor dengan titik didih tinggi (Pb, Ag) tetap berada dalam residu.
  • Bahasa Indonesia:Tindakan pencegahan: Sistem vakum pra-pompa ke ≤5×10⁻³Pa sebelum pemanasan untuk mencegah oksidasi Te.

‌III. Pertumbuhan Kristal (Kristalisasi Terarah)‌

  1. Bahasa Indonesia:Konfigurasi PeralatanBahasa Indonesia:
  • Bahasa Indonesia:Model Tungku Pertumbuhan Kristal‌: TDR-70A/B (kapasitas 30kg) atau TRDL-800 (kapasitas 60kg);
  • Bahan wadah peleburan: Grafit kemurnian tinggi (kandungan abu ≤5ppm), dimensi Φ300×400mm;
  • Metode pemanasan: Pemanasan resistansi grafit, suhu maksimum 1200°C.
  1. Bahasa Indonesia:Parameter ProsesBahasa Indonesia:
  • Bahasa Indonesia:Kontrol Lelehan:
  • Suhu leleh: 500–520°C, kedalaman kolam leleh 80–120mm;
  • Gas pelindung: Ar (kemurnian ≥99,999%), laju aliran 10–15 L/menit.
  • Bahasa Indonesia:Parameter Kristalisasi:
  • Kecepatan tarikan: 1–3mm/jam, kecepatan putaran kristal 8–12rpm;
  • Gradien suhu: Aksial 30–50°C/cm, radial ≤10°C/cm;
  • Metode pendinginan: Basis tembaga berpendingin air (suhu air 20–25°C), pendinginan radiatif atas.
  1. Bahasa Indonesia:Kontrol KotoranBahasa Indonesia:
  • Bahasa Indonesia:Efek Segregasi: Kotoran seperti Fe, Ni (koefisien segregasi <0,1) terakumulasi pada batas butir;
  • Bahasa Indonesia:Siklus Peleburan Ulang: 3–5 siklus, total pengotor akhir ≤0,1 ppm.
  1. Bahasa Indonesia:Tindakan pencegahan:
  • Tutupi permukaan lelehan dengan pelat grafit untuk menekan penguapan Te (tingkat kehilangan ≤0,5%)
  • Pantau diameter kristal secara real time menggunakan pengukur laser (akurasi ±0,1 mm);
  • Hindari fluktuasi suhu >±2°C untuk mencegah peningkatan kepadatan dislokasi (target ≤10³/cm²).

‌IV. Inspeksi Kualitas dan Metrik Utama‌

‌Item Uji‌

Nilai Standar

Metode Pengujian

sumber

Bahasa Indonesia:KemurnianBahasa Indonesia:

≥99,99999% (7N)

ICP-MS

Bahasa Indonesia:Total Kotoran LogamBahasa Indonesia:

≤0,1ppm

GD-MS (Spektrometri Massa Pelepasan Cahaya)

Bahasa Indonesia:Kandungan OksigenBahasa Indonesia:

≤5ppm

Penyerapan Fusi Gas Inert-IR

Bahasa Indonesia:Integritas KristalBahasa Indonesia:

Kepadatan Dislokasi ≤10³/cm²

Topografi Sinar-X

Bahasa Indonesia:Resistivitas (300K)Bahasa Indonesia:

0,1–0,3Ω·cm

Metode Empat Probe


V. Protokol Lingkungan dan Keselamatan

  1. Bahasa Indonesia:Pengolahan Gas Buang:
  • Buangan pemanggangan: Netralkan SO₂ dan SeO₂ dengan scrubber NaOH (pH≥10);
  • Pembuangan distilasi vakum: Mengembunkan dan memulihkan uap Te; gas sisa diserap melalui karbon aktif.
  1. Bahasa Indonesia:Daur Ulang Terak:
  • Lendir anoda (mengandung Ag, Au): Diperoleh melalui hidrometalurgi (sistem H₂SO₄-HCl);
  • Residu elektrolisis (mengandung Pb, Cu): Kembali ke sistem peleburan tembaga.
  1. Bahasa Indonesia:Langkah-langkah Keamanan:
  • Operator harus mengenakan masker gas (uap Te beracun); menjaga ventilasi tekanan negatif (laju pertukaran udara ≥10 siklus/jam).

Pedoman Optimasi Proses

  1. Bahasa Indonesia:Adaptasi Bahan Baku‌: Menyesuaikan suhu pemanggangan dan rasio asam secara dinamis berdasarkan sumber lendir anoda (misalnya, peleburan tembaga vs. peleburan timbal);
  2. Bahasa Indonesia:Pencocokan Tingkat Penarikan Kristal: Sesuaikan kecepatan penarikan sesuai dengan konveksi lelehan (bilangan Reynolds Re≥2000) untuk menekan supercooling konstitusional;
  3. Bahasa Indonesia:Efisiensi Energi: Gunakan pemanasan zona suhu ganda (zona utama 500°C, subzona 400°C) untuk mengurangi konsumsi daya resistansi grafit hingga 30%.

Waktu posting: 24-Mar-2025