די 7N טעללוריום רייניקונג פּראָצעס קאַמביינז טעקנאַלאַדזשיז פון "זאָנע ראַפינירן" און "דירעקטיאָנאַל קריסטאַלליזאַטיאָן". די דעטאַילס און פּאַראַמעטערס פון די הויפּט פּראָצעס זענען אַוטליינד אונטן:
1. זאָנע ראַפינינג פּראָצעס
עקוויפּמענט פּלאַן
מעלטינג באָוץ פון מאַלטי-שיכטע אַניאַלער זאָנע: דיאַמעטער 300-500 מם, הייך 50-80 מם, געמאכט פון הויך-ריינקייַט קוואַרץ אָדער גראַפייט.
באַהיצונג סיסטעם: האַלב-קייַלעכיק רעסיסטיווע קוילז מיט טעמפּעראַטור קאָנטראָל אַקיעראַסי פון ±0.5 °C און אַ מאַקסימום אַפּערייטינג טעמפּעראַטור פון 850 °C.
שליסל פּאַראַמעטערס
וואַקוום: ≤1×10⁻³ פּאַ איבער צו פאַרמייַדן אַקסאַדיישאַן און קאַנטאַמאַניישאַן.
זאָנע רייזע גיכקייַט: 2-5 מם / ה (ונידירעקטיאָנאַל ראָוטיישאַן דורך פאָר שטיל).
טעמפּעראַטור גראַדיענט: 725 ± 5 ° C אין די מאָולטאַן זאָנע פראָנט, קאָאָלינג צו <500 ° C אין די טריילינג ברעג.
פּאַסיז: 10-15 סייקאַלז; באַזייַטיקונג עפעקטיווקייַט>99.9% פֿאַר ימפּיוראַטיז מיט סעגרעגאַציע קאָואַפישאַנץ <0.1 (למשל, קו, פּב).
2. דירעקטיאָן קריסטאַלליזאַטיאָן פּראָצעס
צעשמעלצן צוגרייטונג
מאַטעריאַל: 5N טעללוריום פּיוראַפייד דורך זאָנע ראַפינירן.
מעלטינג טנאָים: צעלאָזן אונטער ינערט אַר גאַז (≥ 99.999% ריינקייַט) ביי 500-520 ° C ניצן הויך-אָפטקייַט ינדאַקשאַן באַהיצונג.
צעשמעלצן שוץ: גראַפייט דעקן מיט הויך ריינקייַט צו פאַרשטיקן וואַלאַטילאַזיישאַן; מאָולטאַן בעקן טיפקייַט מיינטיינד בייַ 80-120 מם.
קריסטאַליזאַטיאָן קאָנטראָל
גראָוט קורס: 1-3 מם / ה מיט אַ ווערטיקאַל טעמפּעראַטור גראַדיענט פון 30-50 ° C / סענטימעטער.
קאָאָלינג סיסטעם: וואַסער-קולד קופּער באַזע פֿאַר געצווונגען דנאָ קאָאָלינג; ראַדיאַטיווע קאָאָלינג אין די שפּיץ.
טומע סעגרעגאַציע: Fe, Ni, און אנדערע ימפּיוראַטיז זענען ענריטשט ביי קערל באַונדריז נאָך 3-5 רימעלטינג סייקאַלז, רידוסינג קאַנסאַנטריישאַנז צו פּפּב לעוועלס.
3. קוואַליטי קאָנטראָל מעטריקס
פּאַראַמעטער נאָרמאַל ווערט רעפערענץ
לעצט ריינקייַט ≥99.99999% (7N)
גאַנץ מעטאַלליק ימפּיוראַטיז ≤0.1 פּיפּיעם
זויערשטאָף אינהאַלט ≤5 פּיפּיעם
קריסטאַל אָריענטירונג דיווייישאַן ≤2°
רעסיסטיוויטי (300 ק) 0.1-0.3 Ω·קם
פּראָצעס אַדוואַנטאַגעס
"סקאַלאַביליטי": מעלטינג באָוץ מיט מולטי-שיכטע אַנאַלאַר זאָנע פאַרגרעסערן פּעקל קאַפּאַציטעט מיט 3-5 × קאַמפּערד מיט קאַנווענשאַנאַל דיזיינז.
עפעקטיווקייַט: גענוי וואַקוום און טערמאַל קאָנטראָל געבן הויך באַזייַטיקונג ראַטעס פון טומע.
קריסטאַל קוואַליטעט: הינטער פּאַמעלעך גראָוט רייץ (<3 מם / ה) ינשורז נידעריק דיסלאָוקיישאַן געדיכטקייַט און איין-קריסטאַל אָרנטלעכקייַט.
דער ראַפינירט 7N טעללוריום איז קריטיש פֿאַר אַוואַנסירטע אַפּלאַקיישאַנז, אַרייַנגערעכנט ינפרערעד דעטעקטאָרס, CdTe דין פילם זונ - סעלז און סעמיקאַנדאַקטער סאַבסטרייץ.
רעפערענצן:
אָנווייַזן יקספּערמענאַל דאַטן פון פּירז-ריוויוד שטודיום אויף טעללוריום רייניקונג.
פּאָסטן צייט: מערץ 24-2025