7N ටෙලුරියම් ස්ඵටික වර්ධනය සහ පිරිසිදු කිරීමේ ක්‍රියාවලිය පිළිබඳ තාක්ෂණික පරාමිතීන් සමඟ විස්තර

7N ටෙලුරියම් පිරිසිදු කිරීමේ ක්‍රියාවලිය කලාප පිරිපහදු කිරීම සහ දිශානුගත ස්ඵටිකීකරණ තාක්ෂණයන් ඒකාබද්ධ කරයි. ප්‍රධාන ක්‍රියාවලි විස්තර සහ පරාමිතීන් පහත දක්වා ඇත:

1. කලාප පිරිපහදු කිරීමේ ක්‍රියාවලිය
උපකරණ නිර්මාණය

‌බහු ස්ථර වළයාකාර කලාප ද්‍රවාංක බෝට්ටු: විෂ්කම්භය 300–500 මි.මී., උස 50–80 මි.මී., ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් ක්වාර්ට්ස් හෝ මිනිරන් වලින් සාදා ඇත.
‌තාපන පද්ධතිය: ±0.5°C උෂ්ණත්ව පාලන නිරවද්‍යතාවයක් සහ 850°C උපරිම ක්‍රියාකාරී උෂ්ණත්වයක් සහිත අර්ධ වෘත්තාකාර ප්‍රතිරෝධක දඟර.
ප්‍රධාන පරාමිතීන්

‌රික්තය‌: ඔක්සිකරණය හා දූෂණය වැළැක්වීම සඳහා Pa පුරාවට ≤1×10⁻³.
කලාප ගමන් වේගය: 2–5 mm/h (ධාවක පතුවළ හරහා ඒක දිශානුගත භ්‍රමණය).
‌උෂ්ණත්ව අනුක්‍රමණය: උණු කළ කලාප ඉදිරිපස 725±5°C, පසුපස දාරයේදී 500°C දක්වා සිසිලනය.
සමත්වීම්: චක්‍ර 10–15; වෙන් කිරීමේ සංගුණක <0.1 (උදා: Cu, Pb) සහිත අපද්‍රව්‍ය සඳහා ඉවත් කිරීමේ කාර්යක්ෂමතාව > 99.9%.
‌2. දිශානුගත ස්ඵටිකීකරණ ක්‍රියාවලිය‌
උණු කිරීම සකස් කිරීම

ද්‍රව්‍ය: කලාප පිරිපහදු කිරීම හරහා පිරිසිදු කරන ලද 5N ටෙලුරියම්.
‍දියවන තත්ත්වයන්‍: අධි-සංඛ්‍යාත ප්‍රේරක උණුසුම භාවිතයෙන් 500–520°C දී නිෂ්ක්‍රීය Ar වායුව (≥99.999% සංශුද්ධතාවය) යටතේ උණු කරනු ලැබේ.
‍දියවීමෙන් ආරක්ෂාව: වාෂ්පීකරණය මැඩපැවැත්වීම සඳහා ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් මිනිරන් ආවරණයක්; උණු කළ තටාකයේ ගැඹුර 80–120 mm දක්වා පවත්වා ගෙන යනු ලැබේ.
ස්ඵටිකීකරණ පාලනය

වර්ධන වේගය: 30–50°C/cm සිරස් උෂ්ණත්ව අනුක්‍රමණයක් සහිතව 1–3 mm/h.
සිසිලන පද්ධතිය: බලහත්කාරයෙන් පහළ සිසිලනය සඳහා ජල සිසිලන තඹ පාදය; ඉහළින් විකිරණශීලී සිසිලනය.
අපිරිසිදු වෙන් කිරීම: Fe, Ni සහ අනෙකුත් අපද්‍රව්‍ය නැවත දියවීමේ චක්‍ර 3-5 කට පසු ධාන්‍ය මායිම්වලදී පොහොසත් කරනු ලැබේ, සාන්ද්‍රණය ppb මට්ටම් දක්වා අඩු කරයි.
3. තත්ත්ව පාලන මිනුම්
පරාමිති සම්මත අගය යොමුව
අවසාන සංශුද්ධතාවය ≥99.99999% (7N)
මුළු ලෝහමය අපද්‍රව්‍ය ≤0.1 ppm
ඔක්සිජන් අන්තර්ගතය ≤5 ppm
ස්ඵටික දිශානතියේ අපගමනය ≤2°
ප්‍රතිරෝධකතාව (300 K) 0.1–0.3 Ω·සෙ.මී.
ක්‍රියාවලි වාසි
පරිමාණය: බහු ස්ථර වළයාකාර කලාප ද්‍රවාංක බෝට්ටු සාම්ප්‍රදායික මෝස්තර හා සසඳන විට කණ්ඩායම් ධාරිතාව 3–5× කින් වැඩි කරයි.
කාර්යක්ෂමතාව: නිරවද්‍ය රික්තකය සහ තාප පාලනය මඟින් ඉහළ අපිරිසිදුකම් ඉවත් කිරීමේ අනුපාත සක්‍රීය කරයි.
‍ස්ඵටික ගුණාත්මකභාවය‍: අතිශය මන්දගාමී වර්ධන අනුපාත (<3 mm/h) අඩු විස්ථාපන ඝනත්වය සහ තනි-ස්ඵටික අඛණ්ඩතාව සහතික කරයි.
මෙම පිරිපහදු කළ 7N ටෙලුරියම්, අධෝරක්ත අනාවරක, CdTe තුනී පටල සූර්ය කෝෂ සහ අර්ධ සන්නායක උපස්ථර ඇතුළු දියුණු යෙදුම් සඳහා ඉතා වැදගත් වේ.

යොමු:
ටෙලුරියම් පිරිසිදු කිරීම පිළිබඳ සම-සමාලෝචනය කරන ලද අධ්‍යයනයන්ගෙන් අත්හදා බැලීමේ දත්ත දක්වන්න.