7N ਟੈਲੂਰੀਅਮ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਿਕਾਸ ਅਤੇ ਸ਼ੁੱਧੀਕਰਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੇ ਵੇਰਵੇ ਤਕਨੀਕੀ ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਦੇ ਨਾਲ

7N ਟੈਲੂਰੀਅਮ ਸ਼ੁੱਧੀਕਰਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ‌ਜ਼ੋਨ ਰਿਫਾਇਨਿੰਗ‌ ਅਤੇ ‌ਦਿਸ਼ਾਵੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ‌ ਤਕਨਾਲੋਜੀਆਂ ਨੂੰ ਜੋੜਦੀ ਹੈ। ਮੁੱਖ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੇ ਵੇਰਵੇ ਅਤੇ ਮਾਪਦੰਡ ਹੇਠਾਂ ਦੱਸੇ ਗਏ ਹਨ:

1. ਜ਼ੋਨ ਰਿਫਾਇਨਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ
ਉਪਕਰਣ ਡਿਜ਼ਾਈਨ

‌ਬਹੁ-ਪਰਤ ਵਾਲੀ ਐਨੁਲਰ ਜ਼ੋਨ ਪਿਘਲਣ ਵਾਲੀਆਂ ਕਿਸ਼ਤੀਆਂ‌: ਵਿਆਸ 300-500 ਮਿਲੀਮੀਟਰ, ਉਚਾਈ 50-80 ਮਿਲੀਮੀਟਰ, ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਕੁਆਰਟਜ਼ ਜਾਂ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਤੋਂ ਬਣੀਆਂ।
‌ਹੀਟਿੰਗ ਸਿਸਟਮ‌: ਅਰਧ-ਗੋਲਾਕਾਰ ਰੋਧਕ ਕੋਇਲ ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ ਨਿਯੰਤਰਣ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ±0.5°C ਅਤੇ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ 850°C ਹੈ।
ਮੁੱਖ ਪੈਰਾਮੀਟਰ

ਵੈਕਿਊਮ: ਆਕਸੀਕਰਨ ਅਤੇ ਗੰਦਗੀ ਨੂੰ ਰੋਕਣ ਲਈ ≤1×10⁻³ ਪਾ।
ਜ਼ੋਨ ਯਾਤਰਾ ਦੀ ਗਤੀ: 2–5 ਮਿਲੀਮੀਟਰ/ਘੰਟਾ (ਡਰਾਈਵ ਸ਼ਾਫਟ ਰਾਹੀਂ ਇੱਕ-ਦਿਸ਼ਾਵੀ ਰੋਟੇਸ਼ਨ)।
ਤਾਪਮਾਨ ਗਰੇਡੀਐਂਟ: ਪਿਘਲੇ ਹੋਏ ਜ਼ੋਨ ਦੇ ਸਾਹਮਣੇ 725±5°C, ਪਿਛਲੇ ਕਿਨਾਰੇ 'ਤੇ <500°C ਤੱਕ ਠੰਢਾ।
ਪਾਸ: 10-15 ਚੱਕਰ; ਹਟਾਉਣ ਦੀ ਕੁਸ਼ਲਤਾ >99.9% ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ ਲਈ ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਵਿੱਚ ਅਲੱਗ-ਥਲੱਗ ਗੁਣਾਂਕ <0.1 (ਜਿਵੇਂ ਕਿ, Cu, Pb) ਹਨ।
2. ਦਿਸ਼ਾਤਮਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ
ਪਿਘਲਾਉਣ ਦੀ ਤਿਆਰੀ

‌ਮਟੀਰੀਅਲ‌: ਜ਼ੋਨ ਰਿਫਾਇਨਿੰਗ ਰਾਹੀਂ 5N ਟੈਲੂਰੀਅਮ ਸ਼ੁੱਧ ਕੀਤਾ ਗਿਆ।
‌ਪਿਘਲਣ ਦੀਆਂ ਸਥਿਤੀਆਂ‌: ਉੱਚ-ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ ਇੰਡਕਸ਼ਨ ਹੀਟਿੰਗ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ 500–520°C 'ਤੇ ਅਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ Ar ਗੈਸ (≥99.999% ਸ਼ੁੱਧਤਾ) ਦੇ ਅਧੀਨ ਪਿਘਲਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
‌ਪਿਘਲਣ ਦੀ ਸੁਰੱਖਿਆ‌: ਅਸਥਿਰਤਾ ਨੂੰ ਦਬਾਉਣ ਲਈ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲਾ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਕਵਰ; ਪਿਘਲੇ ਹੋਏ ਪੂਲ ਦੀ ਡੂੰਘਾਈ 80-120 ਮਿਲੀਮੀਟਰ 'ਤੇ ਬਣਾਈ ਰੱਖੀ ਗਈ ਹੈ।
ਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਕੰਟਰੋਲ

​ਵਿਕਾਸ ਦਰ‌: 1–3 ਮਿਲੀਮੀਟਰ/ਘੰਟਾ, 30–50°C/ਸੈ.ਮੀ. ਦੇ ਲੰਬਕਾਰੀ ਤਾਪਮਾਨ ਗਰੇਡੀਐਂਟ ਦੇ ਨਾਲ।
‌ਕੂਲਿੰਗ ਸਿਸਟਮ‌: ਜ਼ਬਰਦਸਤੀ ਹੇਠਲੇ ਕੂਲਿੰਗ ਲਈ ਪਾਣੀ-ਠੰਢਾ ਤਾਂਬਾ ਅਧਾਰ; ਉੱਪਰ ਰੇਡੀਏਟਿਵ ਕੂਲਿੰਗ।
‌ਅਸ਼ੁੱਧਤਾ ਅਲੱਗ-ਥਲੱਗਤਾ‌: Fe, Ni, ਅਤੇ ਹੋਰ ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ ਨੂੰ 3-5 ਰੀਮੇਲਟਿੰਗ ਚੱਕਰਾਂ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਅਨਾਜ ਦੀਆਂ ਸੀਮਾਵਾਂ 'ਤੇ ਭਰਪੂਰ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ ppb ਪੱਧਰ ਤੱਕ ਘਟਦਾ ਹੈ।
3. ਗੁਣਵੱਤਾ ਨਿਯੰਤਰਣ ਮੈਟ੍ਰਿਕਸ
ਪੈਰਾਮੀਟਰ ਸਟੈਂਡਰਡ ਵੈਲਯੂ ਰੈਫਰੈਂਸ
ਅੰਤਿਮ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ≥99.99999% (7N)
ਕੁੱਲ ਧਾਤੂ ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ ≤0.1 ਪੀਪੀਐਮ
ਆਕਸੀਜਨ ਦੀ ਮਾਤਰਾ ≤5 ਪੀਪੀਐਮ
ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਓਰੀਐਂਟੇਸ਼ਨ ਭਟਕਣਾ ≤2°
ਰੋਧਕਤਾ (300 K) 0.1–0.3 Ω·ਸੈ.ਮੀ.
ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੇ ਫਾਇਦੇ
‌ਸਕੇਲੇਬਿਲਟੀ‌: ਮਲਟੀ-ਲੇਅਰ ਐਨੁਲਰ ਜ਼ੋਨ ਪਿਘਲਾਉਣ ਵਾਲੀਆਂ ਕਿਸ਼ਤੀਆਂ ਰਵਾਇਤੀ ਡਿਜ਼ਾਈਨਾਂ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਬੈਚ ਸਮਰੱਥਾ ਨੂੰ 3-5× ਵਧਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ।
‌ਕੁਸ਼ਲਤਾ‌: ਸਟੀਕ ਵੈਕਿਊਮ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਕੰਟਰੋਲ ਉੱਚ ਅਸ਼ੁੱਧਤਾ ਹਟਾਉਣ ਦੀਆਂ ਦਰਾਂ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ।
‌ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗੁਣਵੱਤਾ‌: ਬਹੁਤ-ਧੀਮੀ ਵਿਕਾਸ ਦਰ (<3 ਮਿਲੀਮੀਟਰ/ਘੰਟਾ) ਘੱਟ ਡਿਸਲੋਕੇਸ਼ਨ ਘਣਤਾ ਅਤੇ ਸਿੰਗਲ-ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਇਕਸਾਰਤਾ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ।
ਇਹ ਰਿਫਾਈਂਡ 7N ਟੈਲੂਰੀਅਮ ਉੱਨਤ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਡਿਟੈਕਟਰ, CdTe ਥਿਨ-ਫਿਲਮ ਸੋਲਰ ਸੈੱਲ, ਅਤੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਬਸਟਰੇਟ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ।

ਹਵਾਲੇ:
ਟੈਲੂਰੀਅਮ ਸ਼ੁੱਧੀਕਰਨ 'ਤੇ ਪੀਅਰ-ਸਮੀਖਿਆ ਕੀਤੇ ਅਧਿਐਨਾਂ ਤੋਂ ਪ੍ਰਯੋਗਾਤਮਕ ਡੇਟਾ ਨੂੰ ਦਰਸਾਓ।