Nā mea hou i ka ʻenehana hoʻoheheʻe ʻāina

1. ‌ʻAha i ka hoʻomākaukau ʻana i nā mea maʻemaʻe kiʻekiʻe‌
‌Silicon-Based Materials‌: Ua ʻoi aku ka maʻemaʻe o nā kristal hoʻokahi silikoni ma mua o ‌13N (99.9999999999%)‌ me ka hoʻohana ʻana i ke ʻano floating zone (FZ), e hoʻomaikaʻi nui ana i ka hana o nā mea hana semiconductor mana kiʻekiʻe (e laʻa, IGBTs) a me nā pahu holomua‌45. Hoʻemi kēia ʻenehana i ka hoʻohaumia ʻana o ka oxygen ma o ke kaʻina hana crucible-free a hoʻohui i ka CVD silane a me nā ala Siemens i hoʻololi ʻia e hoʻokō pono ai i ka hana pono o ka polysilicon 47 zone-melting-grade.
‌Kelemānia Material‌: ʻO ka hoʻomaʻemaʻe hoʻoheheʻe ʻana i hoʻopaʻa ʻia ua hoʻokiʻekiʻe ʻia ka maʻemaʻe germanium i ‌13N‌, me ka hoʻomaikaʻi ʻana i nā coefficients puʻupuʻu haumia, hiki i nā noi i nā optics infrared a me nā mea ʻike radiation‌23. Eia nō naʻe, ʻo ka launa pū ʻana ma waena o ka germanium hoʻoheheʻe ʻia a me nā mea hana i nā wela kiʻekiʻe e noho mau ana i mea paʻakikī23.
2. Nā mea hou i ka hana a me nā lako
‌Dynamic Parameter Control‌: ʻO ka hoʻololi ʻana i ka wikiwiki o ka neʻe ʻana o ka ʻāpana, nā ʻanuʻu wela, a me nā kaiapuni kinoea pale - i hui pū ʻia me ka nānā ʻana i ka manawa maoli a me nā ʻōnaehana pane ʻokoʻa - ua hoʻonui i ka paʻa a me ka hana hou ʻana i ka wā e hōʻemi ana i ka pilina ma waena o germanium/silikona a me nā lako‌27.
ʻO ‌Polysilicon Production‌: ʻO nā ala hiki ke hoʻonui ʻia no ka polysilicon zone-melting-grade polysilicon e hoʻoponopono i nā pilikia kaohi ʻana o ka oxygen ma nā kaʻina hana kuʻuna, e hōʻemi ana i ka hoʻohana ʻana i ka ikehu a hoʻonui i ka hua‌47.
3. ‌Hoʻohui ʻenehana a me nā noi hoʻopaʻi hoʻopaʻa
‌Melt Crystallization Hybridization‌: Hoʻohui ʻia nā ʻenehana hoʻoheheʻe haʻahaʻa haʻahaʻa no ka hoʻokaʻawale ʻana a me ka hoʻomaʻemaʻe ʻana i ka hui organik, hoʻonui i nā noi hoʻoheheʻe ʻana i nā kikowaena lāʻau lapaʻau a me nā kemika maikaʻi‌6.
Nā Semiconductors ʻEkolu: Hoʻohana ʻia ka hoʻoheheʻe ʻana i kēia manawa i nā mea ākea ākea e like me ka silicon carbide (SiC)‌ a me ka gallium nitride (GaN), e kākoʻo ana i nā hāmeʻa kiʻekiʻe a me ka wela wela. No ka laʻana, hiki i ka ʻenehana kapuahi wai hoʻokahi-crystal furnace e hiki ai ke ulu paʻa ke aniani SiC ma o ka mana wela pono‌15.
4. Nā hiʻohiʻona noiʻi like ʻole
‌Photovoltaics‌: Hoʻohana ʻia ka polysilicon zone-melting-grade i loko o nā cell solar kiʻekiʻe, e loaʻa ana i ka pono hoʻololi photoelectric ma luna o 26%‌ a me ka hoʻoikaika ʻana i nā holomua i ka ikehu hou‌4.
‌Infrared and Detector Technologies‌: Hiki i ka germanium ultra-high-purity i ka miniaturized, high-performance infrared imaging and night-vision device no ka pūʻali koa, palekana, a me nā mākeke kīwila‌23.
5. Nā Paʻi a me nā kuhikuhi e hiki mai ana
‌Ka palena hoʻohemo i ka haumia‌: ʻO nā ʻano hana o kēia manawa e hakakā me ka wehe ʻana i nā mea haumia māmā (e laʻa, boron, phosphorus), pono i nā kaʻina doping hou a i ʻole nā ​​ʻenehana hoʻoheheʻe hoʻoheheʻe ikaika‌25.
‌Ka Paʻa Paʻa a me ka Pono ʻEhu: ʻO ka noiʻi e kālele ana i ka hoʻomohala ʻana i ka ‌ke kiʻekiʻe-kū ʻole i ka wela, ka corrosion-resistant crucible material a me nā ʻōnaehana hoʻomehana radiofrequency e hōʻemi i ka hoʻohana ʻana i ka ikehu a hoʻonui i ke ola o nā mea hana. Hōʻike ka ʻenehana Vacuum arc remelting (VAR) i ka ʻōlelo hoʻohiki no ka hoʻomaʻemaʻe metala‌47.
Ke neʻe nei ka ʻenehana hoʻoheheʻe ʻāina i ka ‌ʻoi aku ka maʻemaʻe, ke kumu kūʻai haʻahaʻa, a me ka hoʻopili ākea‌, e hoʻopaʻa ana i kāna kuleana ma ke ʻano he pōhaku kihi i nā semiconductor, ikehu hou, a me optoelectronics‌