Détails du processus de croissance et de purification des cristaux de tellure 7N avec paramètres techniques

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Détails du processus de croissance et de purification des cristaux de tellure 7N avec paramètres techniques

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Le procédé de purification du tellure 7N combine les technologies de raffinage par zone et de cristallisation directionnelle. Les principaux détails et paramètres du procédé sont décrits ci-dessous :

1. Processus de raffinage de zone
Conception d'équipements

‌Nacelles de fusion à zone annulaire multicouche‌ : Diamètre 300–500 mm, hauteur 50–80 mm, en quartz ou graphite de haute pureté.
Système de chauffage : Bobines résistives semi-circulaires avec une précision de contrôle de température de ±0,5°C et une température de fonctionnement maximale de 850°C.
Paramètres clés

‌Vide‌ : ≤1×10⁻³ Pa partout pour éviter l’oxydation et la contamination.
‌Vitesse de déplacement de la zone‌ : 2–5 mm/h (rotation unidirectionnelle via l'arbre d'entraînement).
Gradient de température : 725±5°C au front de la zone fondue, refroidissement à <500°C au bord de fuite.
‌Réussite‌ : 10 à 15 cycles ; efficacité d'élimination > 99,9 % pour les impuretés avec des coefficients de ségrégation < 0,1 (par exemple, Cu, Pb).
2. Processus de cristallisation directionnelle
Préparation de la fonte

‌Matériau‌ : Tellure 5N purifié par raffinage de zone.
Conditions de fusion : Fondu sous gaz Ar inerte (pureté ≥ 99,999 %) à 500–520 °C en utilisant un chauffage par induction à haute fréquence.
Protection contre la fusion : revêtement en graphite de haute pureté pour supprimer la volatilisation ; profondeur du bain de fusion maintenue à 80–120 mm.
Contrôle de la cristallisation

Taux de croissance : 1–3 mm/h avec un gradient de température vertical de 30–50 °C/cm.
Système de refroidissement : Base en cuivre refroidie par eau pour un refroidissement forcé par le bas ; refroidissement radiatif par le haut.
Ségrégation des impuretés : Fe, Ni et d'autres impuretés sont enrichis aux limites des grains après 3 à 5 cycles de refusion, réduisant les concentrations à des niveaux de ppb.
3. Mesures de contrôle de la qualité
Paramètre Valeur standard Référence
Pureté finale ≥ 99,99999 % (7N)
Impuretés métalliques totales ≤ 0,1 ppm
Teneur en oxygène ≤ 5 ppm
Écart d'orientation du cristal ≤ 2°
Résistivité (300 K) 0,1–0,3 Ω·cm
Avantages du processus
‌Évolutivité‌ : les cuves de fusion à zone annulaire multicouche augmentent la capacité des lots de 3 à 5 fois par rapport aux conceptions conventionnelles.
‌Efficacité‌ : Le contrôle précis du vide et de la température permet des taux élevés d'élimination des impuretés.
Qualité du cristal : des taux de croissance ultra-lents (< 3 mm/h) garantissent une faible densité de dislocations et l'intégrité du monocristal.
Ce tellure 7N raffiné est essentiel pour les applications avancées, notamment les détecteurs infrarouges, les cellules solaires à couche mince CdTe et les substrats semi-conducteurs.

Références :
désignent des données expérimentales issues d'études évaluées par des pairs sur la purification du tellure.


Date de publication : 24 mars 2025